
| 控製參數 | 核心指標(常見標準) | 關鍵影響 | 典型實驗需求舉例 |
|---|---|---|---|
| 潔淨度 | 按空氣中≥0.5μm 微粒的數量分級(ISO 14644-1 標準): - 百級(Class 5):≤3520 個 /m³ - 千級(Class 6):≤35200 個 /m³ - 萬級(Class 7):≤352000 個 /m³ - 十萬級(Class 8):≤3.52×10⁶個 /m³ | 微粒附著導致樣品汙染、設備故障、實驗誤差 | 半導體光刻:百級 光學鏡片加工:千級 普通精密測量:萬級 |
| 溫濕度 | - 溫度:精度 ±0.5℃~±2℃(如半導體實驗需 23±0.5℃) - 濕度:精度 ±5% RH~±10% RH(如光刻實驗需 45±5% RH) | 溫度波動影響材料熱脹冷縮(如光學元件尺寸變化);濕度超標導致設備受潮或靜電積累 | 超導實驗:溫度 ±0.1℃ 芯片測試:濕度 30%~50% RH |
| 氣流組織 | - 單向流(層流):氣流平行、均勻流動,用於高潔淨度區域(如百級) - 非單向流(亂流):氣流混合流動,用於中低潔淨度區域(如萬級) - 換氣次數:百級≥200 次 / 小時,千級≥60 次 / 小時 | 單向流可快速帶走微粒,避免局部汙染;換氣次數不足會導致潔淨度下降 | 光刻區:垂直單向流 樣品存儲區:非單向流 |
| 振動控製 | 按振動加速度分級(ISO 2631 標準),核心指標: - 精密實驗:≤0.1 m/s²(微米級振動) - 超精密實驗:≤0.01 m/s²(納米級振動) | 振動導致光學光路偏移、精密儀器(如天平、幹涉儀)讀數漂移 | 原子力顯微鏡:≤0.05 m/s² 量子比特實驗:≤0.01 m/s² |
| 電磁屏蔽 | 按屏蔽效能(SE)分級,單位 dB(分貝): - 一般屏蔽:SE≥30dB(阻擋中低頻幹擾) - 高屏蔽:SE≥60dB(阻擋高頻幹擾,如射頻、微波) | 電磁幹擾影響電子儀器信號(如示波器、傳感器),導致數據失真 | 射頻實驗:SE≥50dB 量子通信實驗:SE≥80dB |
| 壓力控製 | - 正壓:潔淨區壓力高於非潔淨區(防止外部汙染滲入,如普通潔淨室) - 負壓:潔淨區壓力低於非潔淨區(防止內部汙染擴散,如含少量有害氣體的物理實驗) - 壓力差:≥5Pa(確保氣流方向穩定) | 壓力失衡會導致潔淨區與外界空氣竄流,破壞潔淨環境 | 半導體潔淨室:正壓(+10Pa) 含揮發性試劑的物理實驗:負壓(-5Pa) |